Южный федеральный университет
Инженерно-технологическая академия
Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения
Кафедра нанотехнологий и микросистемной техники
 
ЮФУ ИТА ЮФУ ИНЭП
О кафедре
Учебная работа
Научная работа

Научная работа


Научные направления

  • Разработка активированных технологических процессов микро- и наноэлектроники с использованием фотонных потоков, электронно-лучевой обработки и импульсной обработки некогерентным излучением

  • Развитие методов создания и диагностики приборов наноэлектроники и наномеханики с использованием зондовых средств

  • Разработка технологических процессов формирования структур экстремальной электроники на основе карбида кремния

  • Математическое моделирования радиационно-импульсных процессов переноса атомов в полупроводниковых кристаллах


НИР, гранты

  • Разработка принципов построения и основ теории нетермически активируемых технологических процессов создания элементной базы наноэлектроники. Г/б НИР №13059, заказчик - Федеральное агенство по образованию.

  • Исследование возможности создания методов и технических средств анализа современной и перспективной микро- и наноразмерной элементной базы радиоэлектронной аппаратуры. Х/д НИР №13307, заказчик – ИНМЭ РАН.

  • Разработка технологии и изготовление опытных образцов масок для глубокой рентгеновской литографии. Х/д НИР №13308, заказчик – Российский научный центр «Курчатовский институт».

  • Исследования и разработка технологических процедур для производства элементов изделий микро- и наноэлектронной техники на основе использования сверхвысоковакуумной технологической автоматизированной платформы кластерного типа. Х/д НИР №13309, заказчик – ЗАО «Нанотехнология МДТ» (2008-2009).

  • Разработка организационно-правовых документов, регламентирующих деятельность регионального отделения Центра метрологического обеспечения и оценки соответствия нанотехнологий и продукции наноиндустрии в Южном федеральном округе, участие в опытном функционировании регионального отделения Центра метрологического обеспечения и оценки соответствия нанотехнологий и продукции наноиндустрии в Южном федеральном округе. Х/д НИР №13310, заказчик – ФГУ «Ростовский ЦСМ» (2009).

  • Анализ элементного состава материалов и топологии микроканальных структур и заготовок. Х/д НИР №13312, заказчик – ВТЦ «Баспик» (2009).

  • Проведение исследований наноструктур на основе оксидных материалов для сенсоров излучения видимого и ИК- диапазонов. Х/д НИР №13313, заказчик – НПП КП «Квант» (2009-2010).


Публикации

Монографии:

  1. Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС. - Харьков: НТК “Институт монокристаллов”, 2008. - 392 с.
  2. Достанко А.П., Агеев О.А, Светличный А.М. и др. Интенсификация процессов формирования твердотельных структур концентрированными потоками энергии. Минск: Бестпринт, 2005.
  3. Агеев О.А. Проблемы технологии контактов к карбиду кремния. – Таганрог. Изд-во ТРТУ, 2005. – 250 с.
  4. Касимов Ф.Д., Гусейнов Я.Ю., Светличный А.М.,Поляков В.В., Кочеров А.Н. Фотостимулированные процессы окисления карбида кремния. Изд.-во Мутарджим, Баку. 2005. – 84 с.
  5. Сеченов Д.А., Агеев О.А., Светличный А.М., Касимов Ф.Д., Кадымов Г.Г. Газочувствительные датчики на основе карбида кремния. Баку: Изд-во Мутарджим. 2004
  6. Негоденко О.Н. Аналоги негатронов в электронных устройствах. Таганрог. Издательство ТРТУ. 2004. 104 с.
  7. Агеев О.А. Быстрая термообработка некогерентным ИК-излучением контактов к карбиду кремния. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2003. – 128 с.
  8. Глушенко А.А., Иванцов В.В., Щербина В.А. Организационные формы обучения и проблема оптимального выбора. М, МПА-пресс, 2003.
  9. Глушенко А.А., Иванцов В.В., Клово А.Г., Радомская М.В. Измерение и оценка качества образования. М, МПА-пресс, 2003.
  10. Глушенко А.А., Иванцов В.В., Клово А.Г., Радомская М.В. Фролов И.И. Инструментальное обеспечение измерения и оценки качества образования. М, МПА-пресс, 2005. – 218 с.

Статьи:

  1. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование режимов фотонностимулированной зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления пленки титана // Нано- и микросистемная техника. – 2008. – №1. – С. 1-3.
  2. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Зондовая фотонно-стимулированная нанолитография структур на основе пленки титана // Микроэлектроника, Том 36, № 6, 2007. - С. 403-408
  3. Агеев О.А. Термодинамический анализ твердофазных взаимодействий в контактах Ni/SiC //Известия вузов. Электроника. 2005. №2. С. 42 - 48.
  4. Agueev O.A., Avdeev S.P., Svetlichnyi A.M., Konakova R.V., Milenin V.V., Lytvyn P.M., Lytvyn O.S., Okhrimenko O.B., Soloviev S.I., Sudarshan T.S. Surface preparation of 6H-SiC substrates by electron beam annealing // Materials Science Forum, vol. 483-485 (2005), p. 725-728.
  5. S.P. Avdeev, O.A. Agueev, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, V.V.Milenin, D.A. Sechenov, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)/n-21R(6H)-SiC contact parameters.// Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2004. V. 7, N 3. P. 272-278.
  6. Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Математическое моделирование процессов ионно-лучевого перемешивания. Микроэлектроника, 2000, №1, с. 59-63.
  7. Serba P.V., Blinov Yu.F. Mechanism lattice relaxation the theory of ion beam mixing. Nuclear Instruments and Methods. 2000, v. B160, p. 231-234.
  8. Светличный А.М., Поляков В.В., Варзарев Ю.Н. Формирование пленок диоксида кремния фотохимическим разложением тетраэтоксисилана// Микроэлектроника, 2001, т.30, №1 - С. 21-31.
  9. Drachev R.V., Cherednichenko D.I., Sudarshan T.S. Analysis of in situ off-axis seeding surface preparation condition for SiC PVT growth. Journal of Crystal Growth, 265 (2004), 179-183.
  10. Cherednichenko D., Maximenko S., Soloviev S., Sudarshan T.S. Observation of dislocation in diffused 4H-SiC p-i-n diodes by Electron – beam induced current. J. Appl. Phys., V. 97, 013533 (2005), 1-6.
Новости
Абитуриентам

© 2004-2014 НТ МСТ

Адрес: 347928, г. Таганрог, ГСП-17А, пер. Некрасовский, 44, ТТИ ЮФУ, каф. НТ МСТ
Тел. (8634)37-16-11, (8634)37-19-40
E-mail: tmina@fep.tti.sfedu.ru