Южный федеральный университет
Инженерно-технологическая академия
Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения
Кафедра нанотехнологий и микросистемной техники
 
ЮФУ ИТА ЮФУ ИНЭП
О кафедре
Учебная работа
Научная работа

Светличный Александр Михайлович

кандидат технических наук, профессор


Руководит на кафедре научным направлением - разработка активированных технологических процессов микро- и наноэлектроники с использованием фотонных потоков, электронно-лучевой обработки и импульсной обработки некогерентным излучением. Области научных интересов - дефекты кристаллической структуры полупроводников и их влияние на параметры приборов; контроль качества технологических процессов изготовления интегральных микросхем по шумовым характеристикам; разработка оборудования и технологических процессов изготовления интегральных микросхем на основе когерентных (лазерных) и некогерентных источников излучения; теория процессов взаимодействия мощных импульсных световых потоков с полупроводниковыми структурами на основе кремния и карбида кремния; влияние световых потоков на биологические объекты.

Им выполнено в качестве исполнителя, ответственного исполнителя, заместителя научного руководителя и руководителя более 20 хоздоговорных и госбюджетных НИР. Под его руководством на основе некогерентных источников излучения разработаны технологические установки импульсной термообработки ИТО-10, ИТО-18, ИТО-18М, ИТО-18МВ; установки контроля качества технологического процесса изготовления микросхем ИШТ-1 и ИШТ-2; стерилизатор медицинского инструмента ИС-6, светомагнитный биостимулятор СМТ-1. За разработку и внедрение установок награжден двумя медалями ВДНХ. Опубликовал 120 научных работ. Имеет 24 авторских свидетельства и патенты на изобретения.

Основные публикации

  • Светличный А.М., Сеченов Д.А., Агеев О.А., Чередниченко Д.И., Соловьев С.И. Локальный лазерный нагрев кремниевых структур – Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1999. – 63 с.
  • Сеченов Д.А., Светличный А.М., Поляков В.В. Фотостимулированные технологические процессы в кремниевых структурах. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2002. - 103 с.
  • Сеченов Д.А., Агеев О.А., Светличный А.М., Касимов Ф.Д., Кадымов Г.Г. Газочувствительные датчики на основе карбида кремния – Баку: Изд-во Мутарджим, 2004. – 92 с.
  • Достанко А.П., Агеев О.А, Светличный А.М. и др. Интенсификация процессов формирования твердотельных структур концентрированными потоками энергии. Минск: Бестпринт, 2005.
  • Сеченов Д.А., Светличный А.М., Поляков В.В. и др. Вакуумная установка импульсной термической обработки ИТО-18МВ// Электронная промышленность. - №5, 1991 г. - С.6-7.
  • Светличный А.М., Поляков В.В., Варзарев Ю.Н. Формирование пленок диоксида кремния фотохимическим разложением тетраэтоксисилана// Микроэлектроника, 2001, т.30, №1 - С. 21-31.
  • A.M. Svetlichnyi, V.V. Polyakov, A.N. Kocherov. Modeling of silicon carbide oxidation process under simultaneous influence of infrared and ultraviolet exposure// Abstract IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. ISSCRM-2002 - Novgorod the Great, Russia 30-31 May - 2002 - p.78.
  • Светличный А.М, Конакова Р.В., Поляков В.В. и др. Морфология и оптические свойства оксидных пленок гадолиния, титана и эрбия на поверхности n-6HsiC// Вестник Новгородского государственного университета, сер. "Технические науки". - №30, 2005г. - С.105-109.
  • Agueev O.A., Svetlichny A.M., Soloviev S.I. Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2000, v.3, no.3, p.379-382.
  • Litvinov V.L., Demakov K.D., Agueev O.A., Svetlichnyi A.M., Konakova R.V., Lytvyn P.M., Lytvyn O.S., Milenin V.V. Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, vol. 5, №4, p. 457 ? 464.
  • Agueev O.A., Avdeev S.P., Svetlichnyi A.M., Konakova R.V., Milenin V.V., Lytvyn P.M., Lytvyn O.S., Okhrimenko O.B., Soloviev S.I., Sudarshan T.S. Surface preparation of 6H-SiC substrates by electron beam annealing // Materials Science Forum, vol. 483-485 (2005), p. 725 ? 728.
  • Litvinov V.L., Demakov K.D., Agueev O.A., Svetlichnyi A.M., Konakova R.V., Lytvyn P.M., Milenin V.V. Investigation of the Effect of Rapid Thermal Annealing Modes on the Parameters of Ni/21R-SiC Contact // Materials Science Forum, vol. 389-393 (2002), p. 905 ? 909.
  • Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Зондовая фотонно-стимулированная нанолитография структур на основе пленки титана // Микроэлектроника, Том 36, № 6, 2007. - С. 403-408
  • Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование режимов фотонностимулированной зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления пленки титана // Нано- и микросистемная техника. – 2008. – №1. – С. 1-3.

Методические разработки

Читаемые курсы

  • Процессы микро- и нанотехнологии (210104)
  • Технологические процессы микро- и наноэлектроники (210201)
  • Специальные вопросы технологии микроэлектроники (210104)
  • Специальные вопросы технологии наноразмерных структур (210601, 210600)
  • Электроника дефектов в полупроводниках (210100)

© 2004-2014 НТ МСТ

Адрес: 347928, г. Таганрог, ГСП-17А, пер. Некрасовский, 44, ТТИ ЮФУ, каф. НТ МСТ
Тел. (8634)37-16-11, (8634)37-19-40
E-mail: tmina@fep.tti.sfedu.ru